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IPP052N06L3 G /MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3
IPP052N06L3 G的规格信息
IPP052N06L3 G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:80 A

Rds On-漏源导通电阻:4.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:50 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:115 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Tube

高度:15.65 mm

长度:10 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.4 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:58 S

下降时间:12 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:5 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:56 ns

典型接通延迟时间:11 ns

零件号别名:IPP052N06L3GXKSA1 IPP52N6L3GXK SP000680802

单位重量:6 g

供应商IPP052N06L3 G
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